如今，對于太陽能薄膜電池（非晶硅、CdTe，CIGS等）的激光劃線和激光去邊技術已經被廣泛應用在生產線上，此外，對于薄膜電池的絕緣，透光組件（用于光伏與建筑一體化）技術也有逐漸被應用，德力激光一直在以上幾個應用成為國內市場的主要供應商，并且成功與整線供應商合作，為其代工產線中所需的激光設備，目前在國內許多薄膜電池公司都可以看見我們的公司設備在量產。此外，激光技術也被應用在高效電池的研發和生產中，諸如激光鉆孔(EWT&MWT)，絕緣，激光摻雜等等，德力激光已經在這些方面建立了堅實的工藝基礎，并獲得多家電池片制造商的認可。
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刻線線寬： 12-30μm，±3μm
刻線深度： 2-5μm，±2μm
刻線速度： 可調，最大4s/片
直線度： ±20μm
工作臺重復定位精度：±10μm
額定輸入電壓： 三相380VAC，50Hz/60Hz,帶保護地線
冷卻方式： 水冷
加工范圍： 125×125mm、156×156mm
應用領域：
專用于晶硅太陽能電池選擇性擴散
產品名稱： CellScriber
應用區域： a-si/u-si·CIGS·CdTe
激光波長： 1064nm·532nm·355nm
刻劃幅面： 1100×1400mm（標配）
刻劃線寬： 30-250μm
刻劃速度： 最大1200mm/s
分光數： 4或6或8
產品特點:
全自動CCD定位系統
全自動上下料系統（選配）
高效除塵系統
自動溫控系統
便捷控制系統
應用領域：（薄膜太陽能電池）
電極刻劃（P1、P2、P3）
絕緣線刻劃（P4）
鉆孔直徑： 大于30um
•速 度： 可調，0.1s /hole(實驗型）
•定位精度： ±5μm
•冷卻方式： 水冷
•加工范圍： 125×125，156×156mm或其他半導體硅晶圓
•應 用： 單晶硅，多晶硅等材料
激 光 器： 可選（建議532或355nm)
在0.2晶片上鉆0.2毫米的孔，速度為0.2s/hole，側壁質量良好。
描述：薄膜太陽能電池(a-Si、CI(G)S、CdTe等)刻線，應用于P1,P2,P3工業量產。根據材料對激光的吸收系數的不同，需要為特定的加工工藝選擇合適的激光波長。綠激光對于硅的破壞閾值遠低于其對TCO的破壞閾值，因此綠激光可以安全透過TCO膜層后，對吸收層進行刻線。P2層和P3層的刻線機理與P1層相同。由于綠光激光器的平均功率均為數瓦量級，因此能夠將光束分光后進行多光束并行加工，從而進一步提高工作效率。對于P1、P2和P3層的刻線應用而言，用于微加工應用的、輸出波長為1064nm和532nm的結構小巧緊湊的二極管泵浦激光器，無疑是無疑是一種理想的選擇，并且這種激光器能夠提供極高的脈沖穩定性。這類激光器的脈沖持續時間為8~ 40ns，脈沖重復頻率為1~100kHz。
